碳基技術有望取代矽基技術
中國科學院院士、北京大學教授彭練矛表示，隨著芯片製造工藝逼近2納米，矽基芯片材料的潛力已基本被挖掘殆盡，無法滿足行業未來進一步發展的需要，啟用新材料是公認的從根本上解決芯片性能問題的出路。
彭練矛指出，碳納米管擁有完美的結構、超薄的導電通道、極高的載流子遷移率和穩定性，未來有望取代傳統的矽基集成電路技術。面向後摩爾時代，中國現已基本解決碳納米管面臨的挑戰，實現了整套的碳納米管集成電路和光電器件制備技術，同時也在碳納米管的無摻雜技術研究方面取得重大突破，使得我國在碳基芯片的基礎研究方面邁入全球發展前列。
暢想未來，彭練矛認為碳基技術有望全方位影響現有半導體產業格局。我國應抓住這一歷史機遇，從材料開始，總結過往經驗，通過發展碳基芯片，實現中國芯片的彎道超車。現有研究已證明，碳基集成電路擁有超越矽基的潛力，亟待解決的則是產業領域的工程性問題，實現技術的落地與實用化。 |
